集美大学半导体产业技术研究院于2019引进国外知名大学半导体领域顶尖科学家成立。目前拥有一支结构合理，专业技术水平先进的人才队伍，包括引进及合作的福建省“双百计划”、“珠江人才计划”中科院“百人计划”、闽江学者等来自国内知名大学的国家、省特支人才及台籍学者，行业内顶尖科学家以及国内拥有多年产业经验的工程师，具有雄厚的研发人才实力。研究院拥有超1000平方米的研发基地，其中超净实验室（千级）超200平方米，拥有HVPE等20多台/套关键设备，设备总价值约3000万元。2011年联合集美大学理学院新型半导体材料与器件研究平台获确认厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室。目前研究院已建立宽禁带半导体材料、微纳制造和超精密加工三大科研平台，硬件条件达到国际先进水平，是国内第三代宽禁带半导体材料研究的重要基地，也是国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一。
近年来研究院获国家自然科学基金面上项目1项、青年项目10项、173项目1项；省级项目15项，其中一项为中央引导地方科技发展半导体平台专项，以及多项市厅级项目，累计纵向科研项目40多项。与厦门市知名光电企业开展合作，其中包括厦门市信达光电科技有限公司、厦门乾照光电股份有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、罗普特科技集团股份有限公司等市域知名公司开展合作，联合进行战略性产业技术攻关。在ADVANCED MATERIALS(IF=29.477)、ACS ENERGY LETTERS(IF=22.081)、ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS(IF=19.059)、NANO ENERGY(IF=17.68)、ACS NANO(IF=17.180)、SMALL STRUCTURES(IF=15.99)、JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY(IF=15.077)、JOURNAL OF ENERGY CHEMISTRY(IF=13.161)、SMALL(IF=13)、MATERIALS TODAY PHYSICS（IF=11.573）等国际顶尖期刊发表一区论文近20篇，二区论文30多篇。授权发明专利十多项。获福建省科技进步奖二等奖一项。研究院在高质量大面积和低成本的金刚石散热材料、高质量大面积和低成本的氮化铝宽禁带半导体材料以及金刚石上GaN基二维电子气结构材料的制备研发上获得突破。目前4英吋、表面粗糙度1nm以下的多晶金刚石制备，同质外延电子级单晶金刚石氮含量可达50ppb以下这两项技术国际领先;金刚石上氮化镓XRD FWHM低于200arc，金刚石上氮化镓基HEMT器件2DEG迁移率 >1000cm2/（V«s），击穿电压大于650伏国内领先。2011年研究成果成功孵化产业化公司：厦门化合积电半导体科技有限公司，目前是国内最早最成熟的金刚石热沉的领军企业，公司获国内外行业知名投资公司和企业的青睐与投资，A轮公司估值3.1亿人民币， 2024年3月公司再次获世界知名公司贺利氏投资。
研究院在取得的理论研究和实验研究成果积淀的基础上，继续进行高质量大面积和低成本的氧化镓宽禁带半导体材料、金刚石异质GaN基二维电子气结构材料的生长制备、基于宽禁带半导体材料的器件等研发。通过开展宽禁带半导体材料与器件研究，积极为国家与地方经济建设战略性发展服务，努力为区域经济发展、区域高新技术行业加速发展、扩大行业国内外影响力做出贡献。对于相关技术人才及科研人才培养、推动及加速和支持学科发展、以及学校的一流大学建设也将发挥有力作用。
