报告人：刘新科（深圳大学 研究员）
报告时间：12月3日下午3：00
报告地点：理学院章辉楼308
联系人：林秋宝教授
欢迎广大师生参加！
报告摘要：氮化镓（GaN）基功率器件近年来引起了相当大的研究兴趣，因为它们在高压和高温操作下具有超低的传导损耗，可用于下一代电力电子电路。然而，这些器件大多是在硅、蓝宝石和SiC等国外基板上制造的，这导致这些器件被制造成横向器件。主要的挑战是高密度的螺纹位错（108-1010 cm-2），这是由异质衬底上的应变异质外延生长引起的，这对高功率操作下的器件来说是有问题的。最近足够大的GaN衬底的可用性使GaN基器件的同质外延生长成为可能。通过氢化物气相外延（HVPE）生长的自支撑（FS）GaN可以提供小于105 cm-2的穿线位错密度，这表明有希望制造高质量的GaN基GaN功率器件（SBD、PND、FET、HEMT），并允许在给定的阻断电压下以最低的导通损耗进行高功率操作。本次报告会将分享低成本制备的GaN功率器件，包括垂直和横向GaN器件以及器件物理和技术，如材料生长技术、边缘终端技术、欧姆接触工程。此外，还将探讨GaN器件未来面临的机遇和挑战。
报告人简介：刘新科， 深圳大学研究员 微电子研究院院长助理，博士研究生导师，IEEE Senior Member,致力于单晶氮化镓功率器件的研究工作，主持国家科技部重大研发计划项目、国家自然科学基金、广东省自然科学基金杰出青年项目等重要科研项目。研究成果发表 IEEE EDL/TED、Materials Today、Advanced Materials等论文 110 多篇，作为第一完成人，荣获 2021 年度广东省高校科技成果转化总决赛铜奖、2022 年广东省科技进步二等奖、2022 年中国电子学会科技进步二等奖、2022 年广东省电子学会科技进步二等奖、2023年深圳市青年科技奖。
